Produktidentifiering
|
Punkt |
Specifikation |
|
Produktnamn |
G4 Fluorvätesyra (HF) |
|
Produktkategori |
Semiconductor Electronic Wet Chemical |
|
Kemiskt namn |
Fluorvätesyra |
|
Kemisk formel |
HF |
|
CAS-nr. |
7664-39-3 |
|
Molekylvikt |
20.01 |
|
UN-nummer |
1790 |
|
Kvalitet |
SEMI G4 Ultra-High Purity Electronic Grade |
Produktöversikt
G4 Fluorvätesyra är en hög-fluorbaserad-baserad oorganisk syra exklusivt raffinerad för avancerad tillverkning av halvledarwafer och mikroelektroniktillverkning. Genom att använda fler-ultra-rening, korrosionsfri-filtrering och klass 1000 ren-rumsfyllningsteknik, har produkten ultra-låga spårmetaller, anjoniska föroreningar och mikro-partikelinnehåll, som helt uppfyller stränga internationella SEMI G4-standarder.
Som en kärnselektiv etsning och rengöringsvåtkemikalie i halvledarfront-processer, uppvisar den utmärkt etsningsselektivitet för kiseloxidskikt samtidigt som den orsakar minimal skada på kiselsubstrat och nitridfilmer. Strikt föroreningskontroll undviker effektivt mikro-kontamination och waferdefekter, vilket säkerställer hög avkastning och lång-stabilitet för avancerade chiptillverkningsprocesser.
Utseende:Färglös, klar och transparent flyktig vätska
Tekniska specifikationer (SEMI G4 Standard)
|
Testobjekt |
Specifikation |
|
HF-analys |
48,5 ~ 49,5 vikt% |
|
Utseende |
Färglös och klar transparent vätska |
|
Färg (APHA) |
Mindre än eller lika med 5 |
|
Densitet @ 20 grader |
1,15 ~ 1,18 g/cm³ |
|
Avdunstningsrester |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Individuella spårmetaller (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
Mindre än eller lika med 10 ppb vardera |
|
Flukiselsyra (H₂SiF6) |
Mindre än eller lika med 10 ppm |
|
Sulfat (SO₄²⁻) |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Nitrat (NO₃⁻) |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Klorid (Cl⁻) |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Partiklar Större än eller lika med 0,2μm |
Mindre än eller lika med 100 st/ml |
Notera:All testdata baseras på batch-specifik COA (Certificate of Analysis).
Applikationer (Semiconductor Wet Process)
Borttagning av ursprunglig oxid på wafer:Ta selektivt bort naturlig kiseloxid och kvarvarande oxidföroreningar på kiselwaferytor utan att skada kiselsubstratet, vilket optimerar yttillståndet för avsättning, litografi och etsningsprocesser.
Precisionsselektiv etsning:Används för finetsning av dielektriska SiO₂-skikt, grindoxidskikt och tunna filmskikt vid IC-tillverkning, med hög etsningslikformighet och utmärkt processkontrollerbarhet för att säkerställa exakt mönsteröverföring.
RCA våtrengöringsprocess:Fungerar som nyckelkomponent i modifierade RCA-rengöringslösningar för att eliminera mikro-partiklar, joniska föroreningar och organiska rester på waferytor, vilket förbättrar waferns övergripande renhet.
Avancerad förpackning och MEMS-process:Används för ytbehandling, mikro-etsning och föroreningsborttagning av MEMS-enheter, halvledarsensorer och avancerade chipförpackningskomponenter, anpassad till hög-precisionskrav för mikroelektronisk tillverkning.
Standard för förpackning och fyllning
Förpackningstyp:Korrosions-beständig PTFE-fodrad/ren-HDPE förseglad trumma, dedikerad HF-kemisk förpackning
Gemensam specifikation:25 kg / 30 kg liten trumma, 1000 kg korrosionsbeständig - IBC-väska
Fyllningsmiljö:Klass 1000 renrum, fullständigt-korrosionsfritt produktions- och fyllningssystem, noll sekundär kontaminering
Tätningsstandard:Speciell anti-flyktig och anti{1}}läckagetät struktur, förhindrar strikt förlust av flyktiga ämnen och extern kontaminering
Förvaring & hållbarhet
● Förvara i svalt, torrt, ventilerat dedikerat fluorkemikalielager, förvara tätt försluten, borta från direkt solljus, höga temperaturer och värmekällor.
● Isolera strikt från glasprodukter, alkaliska ämnen, oxidanter och metallmaterial för att undvika kemisk korrosion och ogiltig reaktion.
● Förbjud lång-öppen förvaring för att förhindra nedbrytning av flyktiga egenskaper och kontaminering med fuktabsorption.
● Hållbarhet:12 månader under förseglade standardförhållanden
Hantering och säkerhetsåtgärder
● Fluorvätesyra är mycket frätande och flyktig. Operatörer måste bära professionell skyddsutrustning: fluorid-beständiga handskar, helt slutna kemikalieglasögon, korrosionsbeständigt-förkläde och skyddskläder.
● Alla operationer måste utföras i professionella dragskåp; undvik inandning av flyktig gas och direktkontakt med hud, ögon och slemhinnor.
● Under utspädning och dosering, tillsätt långsamt syra i avjoniserat vatten; tillsätt aldrig vatten i koncentrerad fluorvätesyra för att förhindra stänk och säkerhetsolyckor.
● Särskilda första-åtgärder ska vidtas omedelbart i händelse av oavsiktlig kontakt eller läckage, och följ SDS riktlinjer för nödavfall strikt.
● För fullständig faroklassificering, transportbestämmelser och första hjälpen-procedurer, se det officiella säkerhetsdatabladet.
Kvalitetssäkring
Varje sats av G4 fluorvätesyra produceras, renas och inspekteras i strikt enlighet med SEMI G4 internationella halvledarstandarder. Varje försändelse bifogas med en batch-specifik officiell COA. Hela produktions- och fyllningsprocessen antar strikt ren-rumskontaminationskontroll och korrosions-beständig processhantering, vilket säkerställer ultra-hög renhet och stabil kvalitet för att uppfylla de stränga kraven för avancerade halvledarprocesser för våttillverkning.
Populära Taggar: elektroniska kemikalier g4 fluorvätesyra (halvledar våt kemikalie), Kina elektroniska kemikalier g4 fluorvätesyra (halvledar våt kemikalie) tillverkare, leverantörer, fabrik

