Produktidentifiering
|
Punkt |
Specifikation |
|
Produktnamn |
G4 Fosforsyra |
|
Produktkategori |
Semiconductor Electronic Wet Chemical |
|
Kemiskt namn |
Fosforsyra |
|
Kemisk formel |
H3PO4 |
|
CAS-nr. |
7664-38-2 |
|
Molekylvikt |
98.00 |
|
UN-nummer |
1805 |
|
Kvalitet |
SEMI G4 Ultra-High Purity Electronic Grade |
Produktöversikt
G4 Phosphoric Acid är en svag oorganisk syra med ultra-hög-renhet, speciellt raffinerad för avancerad tillverkning av halvledarskivor och mikroelektroniktillverkning. Tillverkad genom fler-rening, ultra-finfiltrering och klass 1000 ren-rumstätad fyllningsprocess, har produkten extremt låga spårmetalljoner, anjoniska föroreningar och mikro-partiklar, helt kompatibel med stränga SEMI G4 internationella halvledarstandarder.
Denna kemikalie har utmärkt selektiv etsningsprestanda för kiselnitrid, tunna aluminiumfilmer och specifika dielektriska material, med stabil etsningshastighet och överlägsen processkontroll. Den orsakar minimal skada på kiselsubstrat och oxidlager, tar effektivt bort ytrester och uppfyller ultra-höga renhetskrav för avancerade waferprocesser. Strikt föroreningskontroll eliminerar mikro-defektrisker, vilket säkerställer hög avkastning och stabil drift för halvledartillverkning med hög-precision.
Utseende:Färglös, transparent, sirapsliknande viskös vätska, luktfri
Tekniska specifikationer (SEMI G4 Standard)
|
Testobjekt |
Specifikation |
|
H3PO4-analys |
84,0 ~ 86.0 viktprocent |
|
Utseende |
Färglös och klar transparent viskös vätska |
|
Färg (APHA) |
Mindre än eller lika med 10 |
|
Densitet @ 20 grader |
1,68 ~ 1,71 g/cm³ |
|
Avdunstningsrester |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Individuella spårmetaller (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
Mindre än eller lika med 10 ppb vardera |
|
Sulfat (SO₄²⁻) |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Klorid (Cl⁻) |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Nitrat (NO₃⁻) |
Mindre än eller lika med 30 ppb |
|
Reducerande ämnen (som H₃PO₃) |
Mindre än eller lika med 50 ppb |
|
Partiklar Större än eller lika med 0,2μm |
Mindre än eller lika med 100 st/ml |
Notera:All testdata baseras på batch-specifik COA (Certificate of Analysis).
Applikationer (Semiconductor Wet Process)
Silikonnitrid & aluminiumfilmetsning:Kärna våtetsningskemikalie för halvledarfront-processer, används för precisionsetsning av Si₃N₄-tunna filmer, aluminiummetallportar och aluminiumkuddskikt. Den har utmärkt etsningsselektivitet som effektivt skyddar kiseloxid och kiselsubstrat samtidigt som den säkerställer enhetlig och stabil etsmorfologi.
Precisionsrengöring av waferytor:Tar bort mikro-partiklar, kvarvarande oorganiska föroreningar och ytspårföroreningar som genereras under etsnings- och deponeringsprocesser. Låg-jon-karaktäristik undviker sekundär förorening och bibehåller ultra-hög ytrenhet på wafers för avancerad litografi och avsättningsprocesser.
Sammansatt våtlösningsformulering:Används för att förbereda hög-ren blandade etsnings- och rengöringslösningar för halvledarspecialprocesser, som matchar hög-precisionsmikro-nanotillverkningskrav för integrerade kretsar.
MEMS & Advanced Semiconductor Packaging:Används för mikro-etsning och ytbehandling av MEMS-enheter, mikro-sensorer och avancerade chipförpackningsstrukturer, vilket säkerställer exakt mönsterdefinition och stabil enhetsprestanda.
Standard för förpackning och fyllning
Förpackningstyp:Ren-korrosionsbeständig-HDPE-förseglad trumma, dedikerad hög-fosforsyraförpackning
Gemensam specifikation:25 kg / 30 kg liten trumma, 1000 kg korrosionsbeständig - IBC-väska
Fyllningsmiljö:Klass 1000 renrum, helt stängt ultra-rent fyllningssystem, strikt kontrollerande partikel- och föroreningsintroduktion för att undvika sekundär kontaminering
Tätningsstandard:Hög-läckage-säker förseglad struktur, mot-föroreningar och mot-försämring, vilket säkerställer långsiktig-renhetsstabilitet
Förvaring & hållbarhet
● Förvara i svalt, torrt, ventilerat dedikerat kemikalielager, förvara tätt försluten, borta från direkt solljus, höga temperaturer och värmekällor.
● Isolera från alkaliska ämnen, starka oxidanter, metallpulver och frätande inkompatibla material för att förhindra kemiska reaktioner och försämring av renhet.
● Undvik lång-öppen placering och fuktabsorption för att förhindra föroreningsberikning och prestandaförändringar.
● Hållbarhet:12 månader under förseglade standardförhållanden
Hantering och säkerhetsåtgärder
● Fosforsyra är måttligt frätande och hygroskopisk. Operatörer måste bära komplett PPE av standardtyp: syrabeständiga handskar, kemiska skyddsglasögon, korrosionsbeständigt-förkläde och skyddande arbetskläder.
● All utspädning, provtagning och hantering måste utföras i ett professionellt dragskåp för att undvika inandning av dimma och direktkontakt med hud och slemhinnor.
● Under utspädningen, tillsätt långsamt fosforsyra i avjoniserat vatten; tillsätt aldrig vatten i koncentrerad fosforsyra för att förhindra stänk och kemisk skada.
● Vid vätskestänk, hudkontakt eller läckage, utför omedelbart nödrengöring och kassering i enlighet med standardprocedurer.
● Se det officiella SDS-dokumentet för omfattande faroinformation, transportbestämmelser och detaljerade första hjälpen-åtgärder.
Kvalitetssäkring
Varje sats av G4 fosforsyra produceras, renas och inspekteras i strikt enlighet med SEMI G4 internationella halvledarindustristandarder. Varje försändelse är utrustad med ett partispecifikt-officiellt COA. Hela produktions- och fyllningsprocessen antar strikt rena-rumskontaminationskontroll och hög-renhetshantering, vilket säkerställer ultra-låga föroreningar, stabil satskonsistens och hög processanpassningsförmåga, vilket helt uppfyller de stränga våta processkraven för avancerad halvledartillverkning.
Populära Taggar: elektroniska kemikalier g4 fosforsyra (våt halvledarkemikalie), Kina elektroniska kemikalier g4 fosforsyra (våt halvledarkemikalie) tillverkare, leverantörer, fabrik

